打開手機和電腦，里面使用的芯片來自哪里，你注意過嗎？
你可能回答：英特爾、蘋果、AMD、高通、英偉達……這些鼎鼎有名的芯片廠商，是很多人購買電子產(chǎn)品時重點關(guān)注的指標，也是產(chǎn)品的核心賣點。
手機卡不卡、大型游戲能不能在電腦上運行，芯片好不好用，消費者的感受太直接了。
但還有一類芯片，你可能很少關(guān)注過，也很少聽過——存儲芯片。
每個人手上的電腦和手機，都必帶存儲芯片。如果把邏輯芯片比作“大腦”，執(zhí)行運算、控制和決策，存儲芯片就像一個“倉庫”，負責數(shù)據(jù)的存儲和記憶。
如果沒有存儲芯片這個數(shù)據(jù)“倉庫”，CPU、GPU這些頂級工人就會“無事可做”。
和邏輯芯片一樣，存儲芯片從設(shè)計到制造，都長期被國外壟斷，市場高度集中。
業(yè)內(nèi)稱之為存儲芯片“三巨頭”或“五巨頭”，來自韓、日、美三個國家。
在這個普通人不太關(guān)注的存儲芯片領(lǐng)域，實際上也正發(fā)生一場激烈的攻防戰(zhàn)。
攻擂的一方來自中國：武漢的長江存儲、合肥的長鑫存儲。
他們作為國內(nèi)僅有的存儲芯片“雙子星”，被寄予突破“卡脖子”技術(shù)的厚望，正在強勢撼動原有格局。
存儲芯片雖然是不在聚光燈下的“幕后英雄”，其市場規(guī)模也不容小覷。
根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）數(shù)據(jù)，2025年全球存儲芯片銷售額預(yù)計達到1848.41億美元，是個妥妥的千億市場。
存儲芯片是個強周期的行業(yè)，有漲有跌。我們目前迎來的，正是存儲器的超級繁榮周期。
摩根士丹利預(yù)測，這個超級周期將持續(xù)數(shù)年，主要由AI驅(qū)動，預(yù)計2027年全球存儲市場規(guī)模突破3000億美元。
OPEN AI、谷歌這些AI巨頭每天都在消耗巨量存儲芯片。畢竟，大模型訓(xùn)練需要大量的數(shù)據(jù)。
存儲芯片有兩大主要類型：DRAM和NAND。要理解這兩者的區(qū)別很簡單，打個比方：DRAM是你手機里的運行內(nèi)存，NAND則是手機里的存儲空間。
比如，你手機的運行內(nèi)存是8G，存儲空間是256G。前者說的是DRAM，后者說的是NAND。
當你打開一個APP，軟件的程序和數(shù)據(jù)從NAND（硬盤）被加載到DRAM中，供你編輯。DRAM像個“工作臺”，NAND像個“倉庫”。
開源證券陳蓉芳指出，AI服務(wù)器對存儲的需求呈指數(shù)級增長，單臺AI服務(wù)器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量約為3倍，2025年AI對存儲的需求占比達到40%，未來或?qū)⑦M一步提升。
存儲芯片巨頭之一SK海力士曾透露，OpenAI每月對DRAM晶圓的需求量將高達90萬片。
作為人工智能的重要集成設(shè)施，存儲芯片的價格也像坐上了火箭，一路高漲。
TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，全球DRAM芯片價格同比暴漲171.8%，NAND Flash價格漲幅也達到98.5%，
“漲得比黃金還快�！贝鎯π酒舷掠喂镜臋C器都開足了馬力。
國內(nèi)企業(yè)能從這輪超級繁榮中受益嗎？
還真有。就是上述的長江存儲和長鑫存儲。
長江存儲主攻領(lǐng)域在NAND，長鑫存儲主攻領(lǐng)域在DRAM。
這兩家公司也是目前來說，唯一有希望在存儲芯片領(lǐng)域能與國際巨頭抗衡的中國企業(yè)。
用“唯一”這個詞，并不夸張。
很多人可能問，既然存儲芯片大短缺，為什么其他地區(qū)不去爭分這塊大蛋糕呢？
蛋糕大是大，卻不是誰都有能力吃得下。
因為這是個典型的重資本、投入時間長的行業(yè)。
今年9月，長存三期成立，注冊資本達到207億元。建一座晶圓工廠，動輒就是百億投資。
長鑫存儲也不遑多讓。
長鑫2019年投產(chǎn)的12寸存儲晶圓制造基地項目，當時計劃分三期建設(shè)三座12寸DRAM存儲晶圓工廠，總投資不低于1500億元，媒體報道為安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。
2015年，發(fā)展存儲器芯片被確定為國家戰(zhàn)略。1380億元國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和近1400億元地方基金隨后建立。
2016年，國家存儲器基地落戶武漢。
落戶武漢的一個重要原因，是中西部地區(qū)中，武漢在集成電路領(lǐng)域相對起步早、有基礎(chǔ)。
21世紀初，武漢就敏銳意識到，過去看“鋼”，未來看“硅”。超高純度的硅片，是芯片制造的基礎(chǔ)材料。
2006年武漢新芯誕生。據(jù)長江日報報道，當時，武漢新芯一期省、市拿出了107億元的投資，占當年省內(nèi)國有經(jīng)濟投資總額的近十分之一。
《芯事 — 一本書讀懂芯片產(chǎn)業(yè)》一書中曾提到，武漢新芯的早期發(fā)展頗為波折，先后遭遇了全球動態(tài)存儲器市場的價格暴跌和主要客戶的瀕臨破產(chǎn)。直到2012年，武漢新芯仍處于虧損狀態(tài)。
2013年，時年54歲的原中芯國際首席運營官楊士寧博士接受武漢東湖開發(fā)區(qū)的邀請，加入武漢新芯任首席執(zhí)行官。楊士寧有留美經(jīng)歷，任職于芯片巨頭英特爾十多年，又在中芯國際主管技術(shù)。楊士寧掌舵后，武漢新芯三維閃存技術(shù)水平逐步靠近海力士、美光等國際巨頭。
等到國家存儲器基地落地，此時武漢新芯已經(jīng)發(fā)展了十個年頭。
那一年，在合肥，長鑫存儲成立；在武漢，長江存儲成立。
從股權(quán)結(jié)構(gòu)看，長江存儲一開始就肩負著國家的厚望。
長江存儲一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（“大基金”）、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北科投共同出資，湖北科投也是武漢新芯的股東。二期由紫光集團和“大基金”共同出資。
長江存儲首任CEO正是楊士寧。楊士寧判斷，NAND閃存儲存的需求量將隨著云端運算、智能終端機的發(fā)展而持續(xù)增長10倍。
根據(jù)長江存儲的目標，長江存儲將通過跳躍式的發(fā)展，在2019年實現(xiàn)與世界前端差半代技術(shù)，2020年與世界領(lǐng)先技術(shù)“并跑”。
現(xiàn)實中長江存儲的確實現(xiàn)了“跳躍式發(fā)展”——
2018年，長江存儲32層3DNAND成功進入市場，實現(xiàn)國內(nèi)3D NAND零的突破；
2019年，長江存儲第二代64層3D NAND閃存實現(xiàn)量產(chǎn)；
2020年，長江存儲跳過96層，直接128層3DNAND研發(fā)成功，達到全球閃存主流水平；次年，長江存儲第三代TLC/QLC NAND量產(chǎn);
2022年，長江存儲第四代TLC 3D NAND研發(fā)成功；次年第四代TLC/QLC NAND量產(chǎn)。232層的堆疊層數(shù)和存儲密度達到國際領(lǐng)先水平……
2024年，第五代TLC 3D NAND研發(fā)成功并量產(chǎn)。
看到這里，你可能有個疑問，為什么存儲芯片要越疊越高？
如果把存儲芯片比喻成蓋樓，最開始工程師們蓋的是2D的樓，相當于只建一層樓，有很多小房間（cell），每個小房間里都能存儲信息。
可是如果要建更多房間，地基也必須變大，意味著芯片就越做越大。
于是，工程師們想出了一個巧妙的辦法，能不能垂直建？3D NAND誕生了，它可以比喻為一幢儲存信息的摩天大樓。堆疊層數(shù)越高，存儲密度也就越大。堆疊層數(shù)越高，對工藝的要求也就越高。
這種工藝要求精細到哪種地步呢？
請想象一個場景——
你正在長江邊，拿出你1200萬像素的手機，拍下了一張長江大橋與夕陽的絕美合照。
這張照片包含1200萬個像素，以2.88億個比特（bit）的形式存儲起來。每個TLC存儲單元能存儲3bits 信息，每個QLC存儲單元能存儲4 bits信息。
這也意味著，這一張簡簡單單的照片，如果不被手機壓縮，理論上需要接近7200萬~9600萬個存儲單位（cell）來存儲。
一顆高端3D NAND存儲芯片，其面積約指甲蓋大小。在指甲蓋大小內(nèi)，制造廠商們垂直堆疊了超過200層的存儲結(jié)構(gòu)，并集成了數(shù)百億個這樣的存儲單元。
這200多層的“摩天大樓”，高度可能僅為一根頭發(fā)絲直徑的幾分之一到幾十分之一，每一層都要求極度的平整和均勻。
而每個相鄰“小房間”（存儲單元）之間的間隔，只有20-40納米，約為頭發(fā)絲直徑的1/2600。
這種極致的工藝，也決定了存儲芯片只能是少數(shù)參與者的競爭。
長存與長鑫，難以替代。
十年磨一劍。距離長江存儲和長鑫存儲成立，也即將迎來十年之期。
他們在各自領(lǐng)域研發(fā)攻關(guān)，不僅獲得了競賽的入場券，更搶占了原本屬于國際巨頭的市場份額。
長期以來，全球NAND Flash市場由四大陣營主導(dǎo)：三星、SK海力士、鎧俠/西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟以及美光。
其中，三星市場份額最高，約35%。四大陣營的市場份額總和約85%。
作為國內(nèi)唯一3D Nand芯片廠商，長江存儲在2021年首次進入全球排行榜，市場份額在2%左右。2022年被列入“實體清單”，市場份額的增長受阻。調(diào)整戰(zhàn)略后，長江存儲今年市場份額首次沖刺到9%，距離兩位數(shù)僅一步之遙。
長存三期達產(chǎn)后，市場份額或繼續(xù)上升至15%。
今年2月，韓國媒體ZDNet Korea報道稱，三星電子近日與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了專利許可協(xié)議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。
三星作為存儲芯片行業(yè)領(lǐng)頭羊，從中國企業(yè)獲得專利授權(quán)，被認為是一件罕見的事。
DRAM市場更為集中，由三星、SK海力士、美光三大巨頭壟斷超90%產(chǎn)能。今年第三季度，“三巨頭”的市場份額同樣約為90%。
▼2024年Q3至2025年Q3 DRAM市場份額分布。圖源：Counterpoint Research Memory Tracker
長鑫存儲的份額在逐步上升。今年前三季度，長鑫存儲的營收份額上升至5%。
市場分析機構(gòu)Counterpoint今年6月預(yù)測，長鑫存儲2025年DRAM出貨量將同比增長50%，在整體DRAM市場的出貨份額預(yù)計將從第一季度的6%增至第四季度的8%。
現(xiàn)在這兩家公司的估值，都在千億元級別。
目前，長鑫科技已完成上市輔導(dǎo)。此前2024年3月，公司以108億元完成新一輪融資，投前估值超1400億元。
長江存儲則以1600億元估值首次登上胡潤《2025全球獨角獸榜》。
長江存儲和長鑫存儲，讓武漢與合肥在全國存儲器格局中顯得舉足輕重。
他們堪比“雙子星”，代表中國力量攀登科技與工業(yè)實力的高峰。
武漢提出打造“世界存儲之都”，這正是底氣所在。
九派新聞記者柴歸
